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賢集網(wǎng)電子元器件頻道訊：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片按照讀寫功能可分為隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器（Random Access Memory，RAM）和只讀存儲(chǔ)器（Read Only Memory，ROM）兩大類。RAM可讀可寫，斷電時(shí)信息會(huì)丟失；ROM中的內(nèi)容只能讀出，不能寫入，信息可永久保存，不會(huì)因?yàn)閿嚯姸鴣G失。






隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器






目前廣泛使用的半導(dǎo)體隨機(jī)讀寫存儲(chǔ)器是MOS半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，按保存數(shù)據(jù)的機(jī)理分為靜態(tài)存儲(chǔ)器（Static RAM，SRAM）和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM，DRAM）。






1、靜態(tài)存儲(chǔ)器（SRAM）






利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來(lái)保存信息，只要不斷電信息就不會(huì)丟失。靜態(tài)存儲(chǔ)器的集成度低，成本高，功耗較大，通常作為Cache的存儲(chǔ)體。






2、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（DRAM）






利用MOS電容存儲(chǔ)電荷來(lái)保存信息，使用時(shí)需要不斷給電容充電才能保持信息。動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器電路簡(jiǎn)單，集成度高，成本低，功耗小，但需要反復(fù)進(jìn)行刷新（Refresh）操作，工作速度較慢，適合作為主存儲(chǔ)器的主體部分。