LSO、LYSO、YSO晶體生長(zhǎng)及加工技術(shù)
2018/10/31 11:58:45??????點(diǎn)擊:
由閃爍體和光探測(cè)器組成閃爍探測(cè)器,用于探測(cè)α、β、γ、X射線及中子。可廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、地球物理學(xué)、生物物理學(xué)、生物化學(xué)、放射化學(xué)、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)勘探、空間探測(cè)、安全稽查等領(lǐng)域。
摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體是性能最好的無(wú)機(jī)閃爍晶體,它具有發(fā)光效率高、衰減時(shí)間短、發(fā)光中心波長(zhǎng)與光電倍增管匹配、抗輻射能力強(qiáng)、高密度、高原子序數(shù)、不潮解、物化性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體采用提拉法生長(zhǎng)。目前我所在摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍原料配方方面,通過(guò)調(diào)整晶體中Ce4+的摻雜濃度,在配料時(shí)對(duì)高溫下易揮發(fā)組分進(jìn)行補(bǔ)償;溫場(chǎng)設(shè)計(jì)及制作、平界面生長(zhǎng)、揮發(fā)組分抑制技術(shù)方面,能夠使得使生長(zhǎng)出的晶體即不開(kāi)裂又無(wú)白絲、云層等宏觀缺陷、且晶體的發(fā)光強(qiáng)度高,并且通過(guò)高溫氧退火減少晶體中的氧空位,進(jìn)一步提高晶體的發(fā)光強(qiáng)度;晶塊精密切割、研磨、拋光工藝技術(shù)方面能夠滿足影像核醫(yī)學(xué)(PET和PET/CT)和電磁量能器對(duì)加工表面和加工尺寸的嚴(yán)格要求。
技術(shù)指標(biāo)
晶體尺寸:Φ60×280、Φ70×200、Φ80×150;
密度:7.1∽7.4g/cc;
發(fā)光強(qiáng)度:≥30000光子/Mev;
衰減時(shí)間:≤45ns;
莫萊爾半徑(cm):2.07;
發(fā)光中心波長(zhǎng):420nm;
輻照長(zhǎng)度 (cm):1.14;
抗輻射強(qiáng)度:≥1000000rad;
折射率:1.82;
是否潮解:否;
尺寸公差:±0.5mm;
平行度:≤20μm;
彎曲度:≤3 0μm;
粗糙度:≤2n m;
角度偏差:≤5°
技術(shù)特點(diǎn)
生長(zhǎng)的晶體尺寸大、發(fā)光強(qiáng)度高、衰減時(shí)間短,產(chǎn)品指標(biāo)在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位,達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。可用于生長(zhǎng)摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體的單晶生長(zhǎng)爐多,并能自己生產(chǎn)單晶生長(zhǎng)爐,可實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。生產(chǎn)的產(chǎn)品已批量用于核物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體是性能最好的無(wú)機(jī)閃爍晶體,它具有發(fā)光效率高、衰減時(shí)間短、發(fā)光中心波長(zhǎng)與光電倍增管匹配、抗輻射能力強(qiáng)、高密度、高原子序數(shù)、不潮解、物化性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體采用提拉法生長(zhǎng)。目前我所在摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍原料配方方面,通過(guò)調(diào)整晶體中Ce4+的摻雜濃度,在配料時(shí)對(duì)高溫下易揮發(fā)組分進(jìn)行補(bǔ)償;溫場(chǎng)設(shè)計(jì)及制作、平界面生長(zhǎng)、揮發(fā)組分抑制技術(shù)方面,能夠使得使生長(zhǎng)出的晶體即不開(kāi)裂又無(wú)白絲、云層等宏觀缺陷、且晶體的發(fā)光強(qiáng)度高,并且通過(guò)高溫氧退火減少晶體中的氧空位,進(jìn)一步提高晶體的發(fā)光強(qiáng)度;晶塊精密切割、研磨、拋光工藝技術(shù)方面能夠滿足影像核醫(yī)學(xué)(PET和PET/CT)和電磁量能器對(duì)加工表面和加工尺寸的嚴(yán)格要求。
技術(shù)指標(biāo)
晶體尺寸:Φ60×280、Φ70×200、Φ80×150;
密度:7.1∽7.4g/cc;
發(fā)光強(qiáng)度:≥30000光子/Mev;
衰減時(shí)間:≤45ns;
莫萊爾半徑(cm):2.07;
發(fā)光中心波長(zhǎng):420nm;
輻照長(zhǎng)度 (cm):1.14;
抗輻射強(qiáng)度:≥1000000rad;
折射率:1.82;
是否潮解:否;
尺寸公差:±0.5mm;
平行度:≤20μm;
彎曲度:≤3 0μm;
粗糙度:≤2n m;
角度偏差:≤5°
技術(shù)特點(diǎn)
生長(zhǎng)的晶體尺寸大、發(fā)光強(qiáng)度高、衰減時(shí)間短,產(chǎn)品指標(biāo)在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位,達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。可用于生長(zhǎng)摻鈰硅酸镥(LSO)、摻鈰硅酸釔镥(LYSO)閃爍晶體的單晶生長(zhǎng)爐多,并能自己生產(chǎn)單晶生長(zhǎng)爐,可實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)。生產(chǎn)的產(chǎn)品已批量用于核物理、核醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。
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